太阳集团城网2018
工作信息
2022年第16期
材料与制造学部季凌飞团队在柔性材料激光高精绿色转移方面取得研究突破
实现GaN薄膜从原始刚性衬底上的高精低损剥离转移一直是芯片领域高性能电子器件，特别是柔性器件制备所面临的重大挑战。近日，太阳集团城网2018季凌飞研究员团队基于多年在超快激光非线性效应及材料激光高精制造方面的研究积累，从增强薄膜本征吸收和控制脉冲非平衡热扩散的机理出发，创造性地提出低能耗超快激光脉冲可控分层策略，成功实现了晶圆级图案化GaN膜层器件的一步剥离转移，获得大形变下发光稳定的GaN基柔性LED。研究成果发表于国际顶级期刊《Advanced Functional Materials》（DOI: 10.1002/adfm.202111920），并被遴选为Frontispiece（卷首文章）。太阳集团城网2018为论文唯一完成单位，21级博士研究生孙伟高为论文第一作者，季凌飞研究员为论文通讯作者。
激光剥离全程在室温常压环境下完成，在获得超快激光非平衡热抑制机理研究成果的同时，充分体现了激光绿色高精低能耗制造在芯片领域的巨大应用前景，在推进“双碳战略”的背景下，为柔性GaN基电子器件的制备提供了一条具有工程化应用意义的低能耗、无污染全新思路。
